中國集成電路材料現(xiàn)狀如何？靶材是薄膜制備的關(guān)鍵原料之一，半導(dǎo)體在靶材應(yīng)用中約占10%。2016年靶材市場增速達到20%，2017年-2019年仍將保持復(fù)合增速13%，到2018年大部分國家靶材市場空間達到983億元，超越大部分國家金屬鈷和碳酸鋰合計941億元的市場，未來潛力巨大。高純金和高純銀因具有接觸電阻小，熱阻低，熱效應(yīng)力小和可靠性高等優(yōu)點，其靶材材料廣泛應(yīng)用于背面金屬化系統(tǒng)、汽車工業(yè)、高溫材料和生物醫(yī)學(xué)中。“半導(dǎo)體器件用鎳鉑靶材的制備關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化”取得重大打破，建立了生產(chǎn)線并取得良好經(jīng)濟效益，鎳鉑靶材替代了****產(chǎn)品并遠銷海外。國內(nèi)靶材等半導(dǎo)體材料的帶領(lǐng)者企業(yè)，實現(xiàn)了高純金屬、靶材一體化運營，在高純金屬、銅靶材、鈷靶材等產(chǎn)品上實現(xiàn)了技術(shù)打破。并成功進入到國外集成電路企業(yè)的供應(yīng)鏈。       用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面，沉積在基片上。濺射現(xiàn)象于1870年開始用于鍍膜技術(shù)，1930年以后由于提高了沉積速率而逐漸用于工業(yè)生產(chǎn)。常用的二極濺射設(shè)備如圖3[二極濺射示意圖]。通常將欲沉積的材料制成板材──靶,固定在陰極上?；糜谡龑Π忻娴年枠O上,距靶幾厘米。系統(tǒng)抽至高真空后充入 10~1帕的氣體(通常為氬氣)，在陰極和陽極間加幾千伏電壓，兩極間即產(chǎn)生輝光放電。放電產(chǎn)生的正離子在電場作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏范圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。與蒸發(fā)鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物質(zhì)。       濺射化合物膜可用反應(yīng)濺射法，即將反應(yīng)氣體 (O、N、HS、CH等)加入Ar氣中,反應(yīng)氣體及其離子與靶原子或濺射原子發(fā)生反應(yīng)生成化合物(如氧化物、氮化物等)而沉積在基片上。沉積絕緣膜可采用高頻濺射法?；b在接地的電極上，絕緣靶裝在對面的電極上。高頻電源一端接地，一端通過匹配網(wǎng)絡(luò)和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源后，高頻電壓不斷改變極性。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。由于電子遷移率高于正離子，絕緣靶表面帶負電，在達到動態(tài)平衡時，靶處于負的偏置電位，從而使正離子對靶的濺射持續(xù)進行。采用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近一個數(shù)量級。       根據(jù)形狀可分為長靶，方靶，圓靶，異型靶根據(jù)成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材根據(jù)應(yīng)用不同又分為半導(dǎo)體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、導(dǎo)陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域分為微電子靶材、磁記錄靶材、光碟靶材、貨品靶材、薄膜電阻靶材、導(dǎo)電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材高純靶材。       近年來，中國大陸漸漸有些觸控面板廠商開始采用了非日東的大陸本土ITO薄膜產(chǎn)品，這些ITO薄膜價格非常便宜，能夠滿足大陸觸控面板廠商的成本考量，即便會有觸控靈敏度較差的問題，但只要由大陸觸控面板廠事先直接向客戶說明，在客戶能夠接受的前提下，低價化的薄膜觸控面板仍有市場。其它非日東觸控ITO薄膜廠商近來接單量也大增，主要則是因為日東與蘋果合作(推測可能在技術(shù)、****、產(chǎn)能有整體化合作)后，產(chǎn)能吃緊，進而使對外供貨的數(shù)量銳減，許多觸控面板廠商無法向日東拿到足夠的ITO薄膜，為了滿足各自客戶需求、沖刺旺季出貨量，于是趕緊轉(zhuǎn)向其他非日東觸控ITO薄膜廠商進料。基本上，日東的ITO薄膜因為品質(zhì)穩(wěn)定度高、價格是比較貴。如果非日東廠商的ITO薄膜、價格與日東沒差多少，等到日東產(chǎn)能又?jǐn)U大對外釋出時。相對可能就會面臨較大的訂單流失壓力。       半導(dǎo)體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，也是對靶材的成分、籌備和性能要求高的領(lǐng)域。具體來講，半導(dǎo)體芯片的制作過程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節(jié)，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材。靶材是半導(dǎo)體、顯示面板等的關(guān)鍵核心材料，國內(nèi)總需求占比超30%，但可自主生產(chǎn)的市場規(guī)模不足2%。伴隨高等制造業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移趨勢，國產(chǎn)替代空間明顯。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，集成化程度越來越高，單位面積單晶硅片集成器件數(shù)呈指數(shù)級增長，主流的硅片尺寸已從12英寸（300mm）逐漸邁向18英寸（450mm）或者更高，國內(nèi)ITO導(dǎo)電膜產(chǎn)業(yè)，日本企業(yè)進入該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域較早，不僅具有上游原料優(yōu)勢。