半導體是對靶材組成、結構和性能要求級高的領域。中國半導體靶材市場增長迅速。尤特新材主要產(chǎn)品為各種高純?yōu)R射靶材，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等，這些產(chǎn)品主要應用于超大規(guī)模集成電路芯片、液晶面板、薄膜太陽能電池制造的物理氣相沉積(PVD)工藝，用于制備電子薄膜材料。目前，公司產(chǎn)品主要應用于半導體、平板顯示器及太陽能電池等領域。在超大規(guī)模集成電路用高純金屬靶材領域，公司成功打破美國、日本跨國公司的壟斷格局，填補了國內(nèi)電子材料行業(yè)的空白。公司已經(jīng)逐步建立了高品質、高純度濺射靶材專業(yè)生產(chǎn)商的良好品牌形象。     ITO靶材成形的工藝有冷靜壓成。ITO/Si異質結光電器件與p-n結光電池比較具有工藝簡單,轉換效率高等特點。在靶材制造的過程中，需要經(jīng)歷粉末冶煉、粉末混合、壓制成型、氣氛燒結、塑性加工、熱處理、超聲探傷、機械加工、水切割、機械加工、金屬化、綁定、超聲、超聲清洗、檢驗出貨。ITO有著多種功用,首先ITO為高帶隙材料,可用作光電池的光入射窗口,又可作為收集光電流的電極,在基底半導體Si上形成勢壘作為SIS結的一層以及抗反射層。銦是中國在儲量上占據(jù)優(yōu)勢的資源。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射。其中直流濺射設備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛。除可濺射導電材料外。也可濺射非導電的材料，同時還可進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。合金靶材。     磁控濺射技術是一種先進的高質量薄膜沉積手段。其工作原理為：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與濺射氣體原子發(fā)生碰撞，電離出大量的正離子和電子。電子飛向基片，而正離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上終形成所需的薄膜。硅(Si)基濺射靶材是眾多濺射靶材中發(fā)展為迅速且應用較廣的一種靶材。Si是一種傳統(tǒng)的半導體材料，近幾年由于磁控濺射制備薄膜技術的發(fā)展使得其在很多領域得到新的應用。     目前磁控濺射沉積的硅基薄膜已經(jīng)應用在觸摸傳感器、建筑節(jié)能用low-e玻璃，以及汽車鍍膜玻璃等領域。磁控濺射用硅鋁靶材一般通過等離子噴涂工藝制成，但所制得靶材致密度較低，相對密度只有90％左右。密度小的靶材在濺射過程中易出現(xiàn)結瘤、掉粉等缺陷，影響鍍膜產(chǎn)品的質量和生產(chǎn)穩(wěn)定性。申請公布號1098350A的中國發(fā)明****申請：硅鋁濺射靶材的制備方法，公開了一種通過真空大氣等離子噴涂技術，制得相對密度達97％的硅鋁靶材。但該****中并未陳述其利用這種方法實際制備靶材的密度。并且真空等離子噴涂較大氣等離子噴涂，增加了背管預熱、抽真空、充入惰性保護氣體等一系列步驟，工藝復雜且成本較高。     在被濺射的靶(陰)與陽之間加個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子， 靶上加有定的負高壓，從靶發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率加大，在陰附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面， 以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。       MINILED及MicLED是近年來顯示領域發(fā)展的新型顯示技術，廣泛應用于VR、平板、電競筆電、顯示器等領域。尤特新材料項目投資總額為2億元。HIT電池結構，中間襯底為N型晶體硅，通過PECVD方法在P型a-Si和c-Si之間插入一層10nm厚的i-a-Si本征非晶硅，在形成pn結的同時。背面為20nm厚的本征a-Si：H和N型a-Si：H層，在鈍化表面的同時可以形成背表面場。由于非晶硅的導電性較差，射技術濺射TCO膜進行橫向導電，采用絲網(wǎng)印刷技術形成雙面電極，使得HIT電池有著對稱雙面電池結構。對靶磁控濺射原理：1-N極；2-對靶陰極；3-陰極暗區(qū)；4-等離子體區(qū)；5-基體偏壓電源；6-基體；