靶材中毒是由于在濺射過程中帶有正電的離子聚集在靶表面。然后并沒有得到中和，便出現(xiàn)靶表面負(fù)偏壓逐步下降。這所謂的靶中毒現(xiàn)象。對(duì)于影響靶材中毒的因素是什么呢？1.影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會(huì)導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長(zhǎng)的過程。采用中頻電源或射頻電源打一個(gè)到兩個(gè)小時(shí)，可以恢復(fù)。3.將靶材拆出來(lái)，用砂紙拋光，也可解決。控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。防止靶材中毒，首先要保證真空室不漏。清理內(nèi)部，除去揮發(fā)成分等。 目前國(guó)內(nèi)氧化物薄膜材料的制備方法和技術(shù)有很多，其中主要的方法有脈沖激光沉積、磁控濺射、電子束蒸發(fā)、分子束外延等物理方法，以及化學(xué)氣相沉積、溶膠-凝膠、噴霧熱解等化學(xué)方法。在這些制備技術(shù)中，磁控濺射鍍膜技術(shù)具有易于大面積鍍膜、工業(yè)化生產(chǎn)以及薄膜品質(zhì)、成分、結(jié)構(gòu)、均勻性等易于調(diào)控的優(yōu)勢(shì)，是產(chǎn)業(yè)化制備氧化物薄膜材料的重要方法之一，以該方法制備的氧化物薄膜材料在液晶面板、觸摸屏、薄膜太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管等產(chǎn)業(yè)上獲得了廣泛應(yīng)用。