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三星開發(fā)大部分國家首例使用單晶硅TFT的農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系EL面板

2007-06-01 來源:

10488

    韓國三星電子(Samsung Electronics)開發(fā)出了使用單晶硅TFT的2.4英寸QVGA主動矩陣型農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系EL面板,并在“SID 2007”上發(fā)表了制造技術(shù)的詳細情況。提高主動矩陣型農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系EL面板的亮度需要加大發(fā)光材料中通過的電流。為此,需要采用提高TFT所用半導(dǎo)體層的結(jié)晶性以及TFT載流子遷移率的技術(shù)。此前,使用低溫多晶硅的情況較多,而使用單晶硅尚無先例。 
    三星開發(fā)的面板為240×320像素,亮度為350cd/m2,對比度為1萬比1。像素間隔為51μm×153μm,像素電路由2個TFT和1個電容器組成。TFT的載流子遷移率為p通道90cm2/Vs、n通道120cm2/Vs,與其它農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系EL用TFT相比,非常高。目前,該公司還在利用此次開發(fā)的制造方法試制1.9英寸TFT液晶面板。 
    在此之前,單晶硅TFT的使用尚無先例,其原因是單晶硅在制造面板的玻璃底板上成膜非常困難。在此次開發(fā)中,三星使用了美國康寧(Corning)開發(fā)的向玻璃底板轉(zhuǎn)印單晶硅的技術(shù)“SiOG”。該技術(shù)首先要向單晶硅晶圓表面之下較淺的部位注入氫離子。然后把晶圓粘貼到康寧制造的“EAGLE”玻璃底板上,在從粘貼后的底板的內(nèi)外兩側(cè)施加電壓的同時進行熱處理。這樣,在氫離子轉(zhuǎn)變?yōu)闅浞肿拥耐瑫r,進行了離子注入的部分的結(jié)晶會受到損傷,取下晶圓時,單晶硅膜能夠殘留在晶圓表面。三星表示,“用粘貼方式制造的TFT粘著性良好,可靠性方面也無需擔(dān)心”。另外,此次的方法還可用于大型面板用底板,應(yīng)用范圍較少可涵蓋至第4代底板
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